鹰潭全自动芯片激光开封机
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产品描述

激光功率5W-150W 激光波长355nm 532nm 1064nm 扫描精度±2μm 光斑尺寸30μm CCD同轴 CCD像素2000万 载台尺寸150mm*150mm X*Y*Z*Z*T*R150*150*250*50°*360° 视野FOV50mm*50mm <1.2 重复频率1-4000KHz 脉冲长度1~400
FILASER-GLASER是芯片失效分析实验室,FA 芯片蚀刻,芯片减薄,芯片开盖,芯片开帽的。
针对失效分析企业该如何做?一、培养失效分析队伍 难做不等于不能做。对于绝大多数企业而言,根据自己的实力来装备培养自己失效分析队伍也是需要的。一般的企业做失效分析可以先配备一个晶体管图示仪,好点的国产货也就万把块钱。在一个仪器上培养这方面的人,就比全面铺开要方便很多。而通过晶体管图示仪基本上可以把失效器件定位到失效的管脚上,如果条件好,还能确认是电过应力损坏还是静电损坏。知道了这两点就可以帮助开发人员检查设计,而如果是静电损伤,则可改善生产使用的防护条件了。
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失效分析的意义:失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。失效分析为设计不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。失效分析可以估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。
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二有损失效分析技术:1. 打开封装,一般有三种方法。全剥离法,集成电路完全损坏,只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏,无法再进行电动态分析 。方法二局部去除法,三研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过种不损坏内部电路和引线,开封后可以进行电动态分析。方法三是自自动法用硫酸喷射达到局部去除的效果。2.缺陷定位,定位具体失效位置在集成电路失效分析中,是一个重要而困难的项目,缺陷定位后才能发现失效机理及缺陷特征。a.Emission显微镜技术,具有非破坏性和快速精准的特性。它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上产生缺陷的部位,通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子。b. OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描,可得到不同材料电阻率变化,这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患。c.液晶热点检测一般由偏振显微镜,可调节温度的样品台,以及控制电路构成。在由晶体各向变为晶体各向同性时,所需要的临界温度能量很小,以此来提高灵敏度。同时相变温度应控制在30-90度,偏振显微镜要在正交偏振光的使用,这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。3.电性能分析(探针台)根据饰电路的版图和原理图,结合芯片失效现象,逐步缩小缺陷部位的电路范围,后利用微探针显微技术,来定位缺陷器件。微探针检测技术,微探针的作用是测量内部器件上的电参数值,如工作点电压、电流、伏安特性曲线。微探针技术一般伴随电路分析配合使用,两者可以较快地搜寻失效器件。
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集成电路失效分析步骤:1. 开封前检查,外观检查,X光检查,扫描声学显微镜检查。2. 开封显微镜检查。3. 电性能分析,缺陷定位技术、电路分析及微探针分析。4. 物理分析,剥层、聚焦离子束(FIB),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(SEM)、VC定位技术。
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