临沂芯片激光开封机厂家

飞镭激光科技有限公司，专注激光微加工的应用创新及研发。拥有经验丰富的研发团队，不断的发展创新，在半导体领域的激光应用拥有丰富的经验。FILASER激光在芯片开封、开帽、decap的应用上我们拥有丰富的复合经验，包含了激光开封、激光蚀刻、激光减薄、化学蚀刻、化学减薄、等离子蚀刻、我们提供完整的一揽子解决方案。Smart Etch II 助力FA实验室分析,GLASER是FILASER科技旗下,专注激光微加工应用的创新和开发,基于客户的研究和设计开发的Laser-Decap解决方案。
失效分析的意义：失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。失效分析为设计不断改进或者修复芯片的设计，使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。失效分析可以估不同测试向量的有效性，为生产测试提供必要的补充，为验证测试流程优化提供必要的信息基础。

二有损失效分析技术：1. 打开封装，一般有三种方法。全剥离法，集成电路完全损坏，只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏，无法再进行电动态分析 。方法二局部去除法，三研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过种不损坏内部电路和引线，开封后可以进行电动态分析。方法三是自自动法用硫酸喷射达到局部去除的效果。2.缺陷定位，定位具体失效位置在集成电路失效分析中，是一个重要而困难的项目，缺陷定位后才能发现失效机理及缺陷特征。a.Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性。它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上产生缺陷的部位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子。b. OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患。c.液晶热点检测一般由偏振显微镜，可调节温度的样品台，以及控制电路构成。在由晶体各向变为晶体各向同性时，所需要的临界温度能量很小，以此来提高灵敏度。同时相变温度应控制在30-90度，偏振显微镜要在正交偏振光的使用，这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。3.电性能分析(探针台)根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部位的电路范围，后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件。微探针检测技术，微探针的作用是测量内部器件上的电参数值，如工作点电压、电流、伏安特性曲线。微探针技术一般伴随电路分析配合使用，两者可以较快地搜寻失效器件。

失效分析基本概念：进行失效分析往往需要进行电测量并采用的物理、冶金及化学的分析手段。失效分析的目的是确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。失效模式是指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。失效机理是指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。

失效分析主要步骤和内容：芯片开封：去除IC封胶，同时保持芯片功能的完整无损，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受损伤，为下一步芯片失效分析实验做准备。SEM 扫描电镜/EDX成分分析：包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、测量元器件尺寸等等。探针测试：以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割：以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。EMMI侦测：EMMI微光显微镜是一种效率较高的失效分错析工具，提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式，可侦测和定位非常微弱的发光（可见光及近红外光），由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。OBIRCH应用（镭射光束诱发阻抗值变化测试）：OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等，也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。LG液晶热点侦测：利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组，在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像，找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域（**过10mA之故障点）。**/非**芯片研磨：移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块， 保持Pad完好无损，以利后续分析或rebonding。X-Ray 无损侦测：检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的缺陷，封装中的锡球完整性。SAM (SAT)超声波探伤：可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如：o晶元面脱层，o锡球、晶元或填胶中的裂缝，o封装材料内部的气孔，o各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。
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