内江全自动芯片激光开封机
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产品描述

激光功率5W-150W 激光波长355nm 532nm 1064nm 扫描精度±2μm 光斑尺寸30μm CCD同轴 CCD像素2000万 载台尺寸150mm*150mm X*Y*Z*Z*T*R150*150*250*50°*360° 视野FOV50mm*50mm <1.2 重复频率1-4000KHz 脉冲长度1~400
飞镭激光科技有限公司,专注激光微加工的应用创新及研发。拥有经验丰富的研发团队,不断的发展创新,在半导体领域的激光应用拥有丰富的经验。FILASER激光在芯片开封、开帽、decap的应用上我们拥有丰富的复合经验,包含了激光开封、激光蚀刻、激光减薄、化学蚀刻、化学减薄、等离子蚀刻、我们提供完整的一揽子解决方案。Smart Etch II 助力FA实验室分析,GLASER是FILASER科技旗下,专注激光微加工应用的创新和开发,基于客户的研究和设计开发的Laser-Decap解决方案。
失效分析基本概念:进行失效分析往往需要进行电测量并采用的物理、冶金及化学的分析手段。失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
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针对失效分析企业该如何做?一、培养失效分析队伍 难做不等于不能做。对于绝大多数企业而言,根据自己的实力来装备培养自己失效分析队伍也是需要的。一般的企业做失效分析可以先配备一个晶体管图示仪,好点的国产货也就万把块钱。在一个仪器上培养这方面的人,就比全面铺开要方便很多。而通过晶体管图示仪基本上可以把失效器件定位到失效的管脚上,如果条件好,还能确认是电过应力损坏还是静电损坏。知道了这两点就可以帮助开发人员检查设计,而如果是静电损伤,则可改善生产使用的防护条件了。
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失效分析主要步骤和内容:芯片开封:去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。SEM 扫描电镜/EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、测量元器件尺寸等等。探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。EMMI侦测:EMMI微光显微镜是一种效率较高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。LG液晶热点侦测:利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(**过10mA之故障点)。**/非**芯片研磨:移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块, 保持Pad完好无损,以利后续分析或rebonding。X-Ray 无损侦测:检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。SAM (SAT)超声波探伤:可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:o晶元面脱层,o锡球、晶元或填胶中的裂缝,o封装材料内部的气孔,o各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。
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集成电路失效分析步骤:1. 开封前检查,外观检查,X光检查,扫描声学显微镜检查。2. 开封显微镜检查。3. 电性能分析,缺陷定位技术、电路分析及微探针分析。4. 物理分析,剥层、聚焦离子束(FIB),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(SEM)、VC定位技术。
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