丽江全自动芯片激光开封机

飞镭激光科技有限公司，专注激光微加工的应用创新及研发。拥有经验丰富的研发团队，不断的发展创新，在半导体领域的激光应用拥有丰富的经验。FILASER激光在芯片开封、开帽、decap的应用上我们拥有丰富的复合经验，包含了激光开封、激光蚀刻、激光减薄、化学蚀刻、化学减薄、等离子蚀刻、我们提供完整的一揽子解决方案。Smart Etch II 助力FA实验室分析,GLASER是FILASER科技旗下,专注激光微加工应用的创新和开发,基于客户的研究和设计开发的Laser-Decap解决方案。
集成电路失效分析步骤：1. 开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查。2. 开封显微镜检查。3. 电性能分析，缺陷定位技术、电路分析及微探针分析。4. 物理分析，剥层、聚焦离子束(FIB)，扫描电子显微镜(SEM)，透射电子显微镜(SEM)、VC定位技术。

芯片失效分析常用方法及解决方案：一般来说，芯片在研发、生产过程中出现错误是不可避免的，就如房缺补漏一样，哪里出了问题你不仅要解决问题，还要思考为什么会出现问题。随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高，失效分析工作也显得越来越重要，社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程，出现问题不可怕，但频繁出现同一类问题是非常可怕的。失效分析是一门发展中的新兴学科，近年开始从向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出失效的机理的活动。失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。失效分析为设计不断改进或者修复芯片的设计，使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。失效分析可以估不同测试向量的有效性，为生产测试提供必要的补充，为验证测试流程优化提供必要的信息基础。

三物理分析1. 聚焦离子束(FIB)，由离子源，离子束聚焦和样品台组成。利用电镜将离子聚焦成微波尺寸的切割器。聚焦离子束的细微精准切割，结合扫描电镜的高分辨率成像，可以很好地解决剖面问题，定位精度可以达到0.1um以下，同时剖面过程过集成电路爱到的应力很小，完整地保存集成电路。2. 扫描电子显微镜(SEM)，利用聚焦离子束轰击器件面表，面产生许多电子信号，将这些电子信号放大作为调制信号，连接显示器，可得到器件表面图像。透射电子显微镜(TEM)，分辨率可以达到0.1nm，透射电子显微镜可以清晰地分析器件缺陷，更好地满足集成电器失效分析对检测工具的解析要求。3. VC定位技术基于SEM或FIB的一次电子束或离子束，在样品表面进行扫描。硅片表面不现部位有不同电势，表现出来不同的明亮对比，找出导常亮的点从而定位失效点。

二有损失效分析技术：1. 打开封装，一般有三种方法。全剥离法，集成电路完全损坏，只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏，无法再进行电动态分析 。方法二局部去除法，三研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过种不损坏内部电路和引线，开封后可以进行电动态分析。方法三是自自动法用硫酸喷射达到局部去除的效果。2.缺陷定位，定位具体失效位置在集成电路失效分析中，是一个重要而困难的项目，缺陷定位后才能发现失效机理及缺陷特征。a.Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性。它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上产生缺陷的部位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子。b. OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患。c.液晶热点检测一般由偏振显微镜，可调节温度的样品台，以及控制电路构成。在由晶体各向变为晶体各向同性时，所需要的临界温度能量很小，以此来提高灵敏度。同时相变温度应控制在30-90度，偏振显微镜要在正交偏振光的使用，这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。3.电性能分析(探针台)根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部位的电路范围，后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件。微探针检测技术，微探针的作用是测量内部器件上的电参数值，如工作点电压、电流、伏安特性曲线。微探针技术一般伴随电路分析配合使用，两者可以较快地搜寻失效器件。
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